特許

J-GLOBAL ID：200903067039502979

半導体装置

発明者： 藤本 英俊
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-238360
公開番号（公開出願番号）：特開2009-071061
出願日： 2007年09月13日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】ノーマリーオフ動作を実現可能な半導体装置を提供する。【解決手段】第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層の上に設けられ第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層の上に設けられたソース電極と、第2の窒化物半導体層の上に設けられたドレイン電極と、第2の窒化物半導体層の表面上におけるソース電極とドレイン電極との間に設けられた絶縁層と、絶縁層の上に設けられたp型の第3の窒化物半導体層と、第3の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に設けられたソース電極と、 前記第2の窒化物半導体層の上に設けられたドレイン電極と、 前記第2の窒化物半導体層の表面上における前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の上に設けられたp型の第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (11件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM02 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-039387   出願人：新日本無線株式会社
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-165143   出願人：松下電器産業株式会社