特許
J-GLOBAL ID：200903092612155809

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
引田 正洋

引田 正洋 について

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上田 哲三

上田 哲三 について

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柳原 学

柳原 学 について

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上本 康裕

上本 康裕 について

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田中 毅

田中 毅 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (13件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  米田 圭啓 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-165143
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339561
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】十分に大きな電流密度を得ることができるノーマリオフ型の窒化物半導体からなる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板101上にAlNバッファ層102、アンドープGaN層103、アンドープAlGaN層104、p型GaN層105、高濃度p型GaN層106が順に形成され、ゲート電極111が高濃度p型GaN層106とオーミック接合する。アンドープAlGaN層104の上にはソース電極109及びドレイン電極110が設けられる。アンドープAlGaN層104とアンドープGaN層との界面で発生する2次元電子ガスとp型GaN層105とによって生じるpn接合がゲート領域に形成されるのでゲート電圧を大きくすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板の上方に設けられた第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きく、動作時には前記第1の窒化物半導体層との界面に2次元電子ガスを生じさせる第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に設けられたp型の第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層の上または上方に設けられたゲート電極と、 前記第2の窒化物半導体の上または上方であって、平面的に見て前記ゲート電極の両側方に設けられたソース電極及びドレイン電極と を備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/808 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778
FI (3件)：
H01L29/80 C ,  H01L29/80 U ,  H01L29/80 H
Fターム (21件)：
5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR01 ,  5F102GR13 ,  5F102GR16 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC16 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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