転写マスク及び露光方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275460
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111828
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】反り量が少なく、単結晶シリコン層内の転写パターンの位置関係が悪化することなく、転写マスク全体の位置精度が良好な転写マスク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】支持基板、この支持基板の上面に形成された中間酸化膜、この中間酸化膜上に形成されたシリコン単結晶層、前記支持基板の裏面に形成された裏面酸化膜、及びこの裏面酸化膜上に形成された反り調整膜を備え、反り量が-15〜+15μmの範囲としたことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板、この支持基板の上面に形成された中間酸化膜、この中間酸化膜上に形成されたシリコン単結晶層、前記支持基板の裏面に形成された裏面酸化膜、及びこの裏面酸化膜上に形成された反り調整膜を備え、反り量が-15〜+15μmの範囲としたことを特徴とする転写マスク。

IPC (3件)：

H01L21/027 , G03F1/16 , H01J37/305

FI (3件)：

H01L21/30 541S , G03F1/16 B , H01J37/305 B

Fターム (8件)：

2H095BA08 , 2H095BB37 , 2H095BC24 , 5C034BB05 , 5F056AA06 , 5F056AA22 , 5F056EA04 , 5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

ステンシルマスク
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-343487 出願人：凸版印刷株式会社
特開昭63-084114
特開昭63-084114

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