特許
J-GLOBAL ID:200903067065935760
発光ダイオードとその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-556955
公開番号(公開出願番号):特表2004-517502
出願日: 2002年01月15日
公開日(公表日): 2004年06月10日
要約:
発光ダイオード(1)に、本発明に従い無機固体材料から作られたレンズ(3)を設ける。レンズ(3)には光放射(18)を生ずる半導体チップ(2)が固定されている。更に、発光ダイオード(1)はケース(20)を備え、このケースはネジ部(21)を介して従来の電球ソケットに捩じ込み可能である。レンズを無機固体材料から作ったことにより、従来の合成樹脂製のレンズに比べて耐久性を向上できると共に、半導体チップの冷却能力を高められる。
請求項(抜粋):
基板(4)上に形成された光子を放射する活性層(5)と、基板(4)から見て活性層(5)の後に置かれた接触層(8)とを有する半導体チップ(2)を備えた発光ダイオードにおいて、
放射される光子に対して透過性であり、耐放射性の固体材料から形成されていて、かつ活性層(5)からの損失熱を放散するレンズ(3)を接触層(8)に配置したことを特徴とするダイオード。
IPC (1件):
FI (3件):
H01L33/00 M
, H01L33/00 C
, H01L33/00 N
Fターム (8件):
5F041AA06
, 5F041AA33
, 5F041CA03
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041DC82
, 5F041EE17
, 5F041FF11
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開平2-134260
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LED装置
公報種別:公表公報
出願番号:特願平9-527242
出願人:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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半導体発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-199020
出願人:東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
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改良された光抽出効率を有する発光ダイオード
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-275227
出願人:ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
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特開平2-134260
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特開昭63-005581
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発光ダイオードの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-316397
出願人:シャープ株式会社
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特開昭63-005581
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特開平2-134260
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特開昭63-005581
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