特許

J-GLOBAL ID：200903067071152386

酸化物絶縁体材料およびその形成方法並びに半導体素子

発明者： 川崎 雅司 ,  大久保 勇男 ,  齊藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273746
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081692
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】 酸化亜鉛系半導体またはIII族窒化物半導体と相互にエピタキシャル成長出来、ワイドギャップ半導体層の極性および格子整合の度合を精密に制御可能な酸化物絶縁体材料およびその形成方法を提供する。【解決手段】 酸化物絶縁体材料は、ABO2なる構成を有すると共に、上記Aの元素がLi、NaおよびKの少なくとも1つを含み、且つ、上記Bの元素がAl、Gaの少なくとも1つを含み、且つ、上記Aの元素と上記Bの元素との和が3つ以上である。上記酸化物絶縁体材料で基板を形成した場合、酸化亜鉛系半導体およびIII族窒化物半導体の面内格子定数に一致する基板を得ることが出来、同種基板を用いた場合と同様の高品質な薄膜結晶を得ることが出来る。

請求項（抜粋）：

ABO2なる構成を有すると共に、上記Aの元素がLi、NaおよびKの少なくとも1つを含み、且つ、上記Bの元素がAl、Gaの少なくとも1つを含み、且つ、上記Aの元素と上記Bの元素との和が3つ以上であることを特徴とする酸化物絶縁体材料。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/347

FI (6件)：

C30B 29/22 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/347 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 626 C

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077BC01 ,  4G077BC60 ,  4G077DA03 ,  4G077EC07 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA62 ,  5F052DA10 ,  5F052DB07 ,  5F052GC10 ,  5F052KA01 ,  5F073AA74 ,  5F073CA22 ,  5F073CA24 ,  5F073CB05 ,  5F110AA01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG41

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 酸化物単結晶薄膜およびその加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-069863   出願人：日本電信電話株式会社
• LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-015389   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-124240   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274333   出願人：川崎雅司, 大野英男, シャープ株式会社