特許
J-GLOBAL ID：200903067075966485

パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
渡辺 武

渡辺 武 について

, 
小林 克浩

小林 克浩 について

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片山 和弘

片山 和弘 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-205317
公開番号（公開出願番号）：特開2009-069817
出願日： 2008年08月08日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【解決手段】酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位を有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料により基板上にレジスト膜を形成し、加熱処理後に露光し、現像して第1のレジストパターンを形成し、この上にヒドロキシ基を有する架橋性の高分子化合物を含む溶液からなるパターン表面コート材を塗布し、架橋して該高分子化合物の架橋膜で覆い、その上に第2のポジ型レジスト材料を塗布し、露光し、現像して第2のレジストパターンを形成するパターン形成方法。【効果】本発明によれば、第1のポジレジストパターン間のスペース部分にパターンを形成するダブルパターニング方法であって、パターン表面コート材を塗布し、第1レジストパターンがレジスト溶媒と現像液に溶解するのを防止することによって、第1のパターン間のスペースに第2のパターンを形成することが可能になる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸によってアルカリに可溶になる繰り返し単位を有する高分子化合物を含むポジ型レジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後にアルカリ現像液を用いて上記レジスト膜を現像して第1のレジストパターンを形成し、この第1のレジストパターンの上にヒドロキシ基を有する架橋性の高分子化合物を含む溶液からなるパターン表面コート材を塗布し、酸と熱によって前記ヒドロキシ基を有する高分子化合物を架橋して該高分子化合物の架橋膜で第1のレジストパターンを覆い、その上に第2のポジ型レジスト材料を塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で第2のレジスト膜を露光し、加熱処理後にアルカリ現像液を用いて第2のレジスト膜を現像して第2のレジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14 ,  C08F 212/32 ,  C08F 220/30 ,  C08F 220/58
FI (8件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 575 ,  C08F212/14 ,  C08F212/32 ,  C08F220/30 ,  C08F220/58 ,  H01L21/30 502C
Fターム (44件)：
2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096JA02 ,  2H096JA04 ,  4J100AB00P ,  4J100AB07P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL31P ,  4J100AM21P ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC04Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC54P ,  4J100BC54Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38 ,  5F046AA13 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (4件)
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