特許
J-GLOBAL ID：200903005949893968
半導体素子の微細パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
荒船 博司
, 荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-310727
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172211
出願日： 2007年11月30日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】本発明は半導体素子の微細パターン形成方法に関する。【解決手段】被食刻層が形成された半導体基板上に第1のフォトレジストパターンを形成する段階と、前記第1のフォトレジストパターン上にパターンハードニングコーティング剤をコーティングしてパターンハードニング膜を形成する段階と、前記結果物上に第2のフォトレジスト膜を形成する段階と、前記第2のフォトレジスト膜に露光及び現像工程を選択的に行なって前記第1のフォトレジストパターンの間に第2のフォトレジストパターンを形成する段階とを含む。【選択図】図1d
請求項（抜粋）：
被食刻層が形成された半導体基板上に第1のフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記第1のフォトレジストパターン上にパターンハードニングコーティング剤をコーティングしてパターンハードニング膜を形成する段階と、
前記結果物上に第2のフォトレジスト膜を形成する段階と、
前記第2のフォトレジスト膜に露光及び現像工程を選択的に行なって前記第1のフォトレジストパターンの間に第2のフォトレジストパターンを形成する段階と、
を含む半導体素子の微細パターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/30 502C
, H01L21/30 570
, G03F7/40 501
, G03F7/40 511
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096HA02
, 2H096HA05
, 2H096HA30
, 2H096JA04
, 5F046AA13
, 5F046AA28
