特許

J-GLOBAL ID：200903067076462928

磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子

発明者： 中島 健太郎 ,  斉藤 好昭 ,  砂井 正之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090768
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289807
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 トンネル接合素子を用いた固体磁気メモリにおいて、書き込み配線からの磁界発生効率を高める、さらに書き込み時の半選択セルへの誤書き込みを防ぐため書き換え電流値の許容幅を高める手段を提供する。【解決手段】 二本の書き込み配線をトンネル接合素子近傍に於いて略平行に走行するように配置する。メモリ全体領域では二本の書き込み配線は直交し、クロスポイント型の配置となるのでセル選択は容易である。磁気シールド、バイアス膜を用いてもよい。

請求項（抜粋）：

第1の面上で行方向に配列された複数の第1の書き込み線と、前記複数の第1の書き込み線の内、所望の第1の書き込み線を選択する第1のアドレスデコーダと、前記第1の面と異なりかつ平行する第2の面上で列方向に配列され、前記複数の第1の書き込み線に交差する複数の第2の書き込み線と、前記複数の第2の書き込み線の内、所望の第2の書き込み線を選択する第2のアドレスデコーダと、前記第1と第2の書き込み線の交差点の各々において、第1と第2の書き込み線により膜面垂直方向に挟まれるように配置された磁気抵抗効果素子と、を具備し、前記第1と第2の書き込み線は前記交差点において両書き込み線に流される電流が略平行となる部分を有することを特徴とする磁気メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (9件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA15 ,  5F083JA60 ,  5F083LA01 ,  5F083LA02 ,  5F083LA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 情報記録媒体とその記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-199827   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 完全閉磁束作用を備える不揮発性磁気抵抗メモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-525006   出願人：インテグレイテッドマイクロトランスデューサーエレクトロニクスコーポレイション
• 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気抵抗効果型ヘッド、メモリー素子、及び増幅素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-108905   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-248297   出願人：三洋電機株式会社