特許
J-GLOBAL ID：200903067089954994
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-156988
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008206
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 チタンシリサイドの層抵抗を十分低く抑えつつ、拡散層とシリサイド層との間の接触抵抗を低減する方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上の所定部分に対してイオン注入を行い、アモルファス化領域10を形成する。次いで、400°C以上650°C以下の温度でチタンを堆積する。その後、シリコン基板を600°C以上800°C以下の温度で加熱する。
請求項（抜粋）：
チタンシリサイド膜を有する半導体装置の製造方法において、シリコン基板上に拡散層およびゲート電極を形成する第一の工程と、シリコン基板上の所定部分をイオン注入によりアモルファス化する第二の工程と、前記シリコン基板の表面に400°C以上650°C以下の温度でチタンを堆積する第三の工程と、前記チタンが堆積したシリコン基板を600°C以上800°C以下の温度で加熱する第四の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/265
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/28 301 T
, H01L 21/265 Q
, H01L 29/78 301 P
