特許

J-GLOBAL ID：200903067113675031

可変寸法を有するセリフを用いる光学的近接修正方法

発明者： トマス ライディグ ,  カート イー、ワムプラー
出願人/特許権者： アスムル マスクツールズ ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175409
公開番号（公開出願番号）：特開2002-055433
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年02月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 各々が対応の縁部や頂点を有する複数の形成物を含む平板パターンを光学露出ツールを使用して基板上に光学的に転写するマスクを形成する方法を提供する。【解決手段】 平板パターンに包含された複数の頂点に長方形のセリフを形成する段階と、所定の頂点に接触する形成物の縁部の長さと、最も近い形成物の縁部までの所定の頂点の水平および垂直距離とに基づいて各セリフの寸法を個々に決める段階とを含み、特定のセリフの各辺の位置は特定のセリフの残りの辺の長さに対して個々に調整可能にされている。

請求項（抜粋）：

平板露出装置を用いることによって基板上に、各々が対応の縁部と頂点とを有する複数の形成物を含む平板パターンを転写するマスクを形成する方法において、各々が概ね長方形であり、前記平板パターンに含まれた複数の前記頂点にセリフを形成する段階と、特定の頂点を形成する形成物の縁部の長さに基いて独立に各セリフの寸法と、前記特定の頂点から最も近い形成物の縁部までの第1と第2の距離であって、それぞれ相互に対して実質的に垂直であり、マスクパターンの面内にある第1と第2に距離とそれぞれ対応する第1と第2の距離とを決定する段階とを含み、特定のセリフの各辺の位置が特定のセリフの残りの辺の位置に対して独立に調整可能であることを特徴とする平板パターンを基板に転写するマスクを形成する方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (4件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• LSI用パターンレイアウト作製方法、LSI用パターン形成方法、並びにLSIの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255304   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-328080   出願人：日本電気株式会社