特許

J-GLOBAL ID：200903067138103342

頂点塩素を持つ酸化物超電導体およびその製造方法

発明者： 秋光 純 ,  久保田 伸彦 ,  綾部 統夫
出願人/特許権者： 秋光 純 ,  石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025699
公開番号（公開出願番号）：特開平8-217439
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：

【要約】【目的】 本願発明の目的は、高い超電導転移温度(Tc)を有し、かつピラミッド構造の頂点にO原子ではなく、Cl原子をもつ酸化物超電導体を提供することにある。【構成】 本願発明は、Ca,Na,Cu,Cl及びOを具備してなり、ペロブスカイト結晶構造を有する酸化物であって、(Ca,Na)3Cu2O4Cl2なる化学式で表され、ペロブスカイト結晶構造内に、O原子とCl原子がピラミッド型に配置され、前記O原子とCl原子が構成するピラミッドの頂点にCl原子が配置されてなる構造を有するものである。

請求項（抜粋）：

Ca,Na,Cu,Cl及びOを具備してなり、ペロブスカイト結晶構造を有する酸化物であって、(Ca,Na)3Cu2O4Cl2なる化学式で表され、ペロブスカイト結晶構造内に、O原子とCl原子がピラミッド型に配置され、前記O原子とCl原子が構成するピラミッドの頂点にCl原子が配置されてなる構造を有する頂点塩素を持つ酸化物超電導体。

IPC (4件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (4件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-130015
  
• 酸化物超電導体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008382   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 松下電器産業株式会社