特許

J-GLOBAL ID：200903067149492723

微細加工用レジスト

発明者： 杉村 博之 ,  内田 達也
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  杉村 博之
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181448
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037790
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【構成】 多層構造からなるレジストであって、最外層に陽極酸化によって酸化膜(4)を生ずる酸化膜形成材(1)を用いる微細加工用レジスト。【効果】 フォトリソグラフィの解像度の限界を越えたきわめて高分解能で微細パターンを形成が可能となり、集積度の高い半導体素子や短波長用の回折光学素子の製造が可能となる。

請求項（抜粋）：

多層構造からなるレジストであって、最外層には陽極酸化による酸化膜形成材を配設してなることを特徴とする微細加工用レジスト。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  C23C 14/04 ,  G03F 7/26 ,  C25D 11/00 308

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073733   出願人：富士通株式会社
• 微細パターン形成用原版
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-232255   出願人：大日本印刷株式会社
• 特開平2-000976
  
• 特開平3-240996
  
• 特開平4-036478