特許
J-GLOBAL ID：200903067151165527

ラジカルを利用した連続CVD

発明者：
スネー,オフアー

スネー,オフアー について


出願人/特許権者：
ジエヌス・インコーポレイテツド

ジエヌス・インコーポレイテツド について


代理人 (1件)： 川口 義雄 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-604449
公開番号（公開出願番号）：特表2002-539326
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2002年11月19日
要約：
【要約】基板上にCVD堆積するための新しい方法が、示唆され、この方法によれば、ラジカル種が、交互に実施されるステップにおいて、分子前駆体からの堆積物に使用され、分子前駆体から堆積した材料を処理し、次の分子前駆体ステップの準備として、反応性のある化学物質によって基板表面を調整する。反復サイクルによって、一体化した複合膜が形成される。好ましい実施形態においては、分子前駆体からの堆積物は、金属であり、交互に実施されるステップにおけるラジカルは、金属前駆体反応によって残されたリガンドを除去し、かつ、連続する層において、金属表面を酸化または窒化するのに使用される。異なる様々な化学物質が、様々な膜のために示唆され、また、本発明を実施するためのハードウェアの組み合わせが、示唆される。
請求項（抜粋）：
堆積室内の基板表面上に金属を堆積させる方法であって、 (a)金属を含有する分子前駆体ガスまたは蒸気を基板表面上に流すことによって、基板表面上に金属のモノレイヤを堆積させ、該表面が、金属を堆積させて反応生成物を形成することによって、前駆体が反応する第1の反応性のある種によって飽和され、金属表面を金属前駆体からのリガンドで被覆された状態のままにしておき、それによって、さらには前駆体と反応することができないステップと、 (b)前駆体ガスまたは蒸気を流すのを停止するステップと、 (c)不活性ガスによって前駆体をパージするステップと、 (d)少なくとも1つのラジカル種を室内の基板表面上に流し込み、ラジカル種が、金属前駆体層の表面リガンドとの高い反応性を有し、反応生成物としてリガンドを除去し、さらに、表面を飽和させ、第1の反応性のある種を提供するステップと、 (e)所望の厚さの金属膜が得られるまで、前記ステップを順序正しく反復するステップと、を備えた堆積室内の基板表面上に金属を堆積させる方法。
IPC (2件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/285
FI (2件)：
C23C 16/44 A ,  H01L 21/285 C
Fターム (30件)：
4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA12 ,  4K030BA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD45 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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