特許
J-GLOBAL ID：200903067181096139
GaN電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347307
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168111
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 短チャネル効果を抑制し、高耐圧のGaN電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 GaNチャネル層2上にソース電極3、ゲート電極4およびドレイン電極5を形成したGaN電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の下にp型GaN層7を形成し、前記チャネル層を前記p型GaN層上層とゲート電極で挟む構成としたことを特徴とする。【効果】 高周波、高出力用GaN電界効果トランジスタが実現できる。
請求項（抜粋）：
GaNチャネル層上にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を形成したGaN電界効果トランジスタにおいて、前記チャネル層の下にp型GaN層を形成し、前記チャネル層を前記p型GaN層上層とゲート電極で挟む構成としたことを特徴とするGaN電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
5F102FA00
, 5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GL08
, 5F102GM04
, 5F102GT03
, 5F102HC01
