半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264725
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103882
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】薄いデバイス厚のIGBTを、フィールドストップ層やコレクタ層のドーピング・プ口ファイルを制御しつつ作製すること。【解決手段】n型のFZウェハ41の裏面に、フィールドストップ層を形成するためのn型不純物のイオン注入の後、FZウェハ41の裏面に、SOIの支持基板42を貼り付ける。FZウェハ41の表面を切削してウェハ厚を所望の薄さにし、その後、ウェハ表面にIGBTの表面構造44を作製する。表面構造44を作製する際の熱履歴によって、ウェハの貼り合わせ前に注入されたn型不純物が拡散し、より深いフィールドストップ層が形成される。支持基板42を取り除いた後、ウェハ裏面に、コレクタ層を形成するためのp型不純物のイオン注入をし、熱処理により拡散させてコレクタ層を形成する。最後に、ウェハ裏面に、コレクタ電極となるオーミック電極45を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型のシリコン半導体ウェハの裏面に、第1導電型の不純物をイオン注入する工程と、前記半導体ウェハの裏面に、表面が絶縁性の支持基板を貼り付ける工程と、前記半導体ウェハの表面を切削する工程と、前記半導体ウェハの表面に半導体素子の表面構造を作製する工程と、前記支持基板を取り除く工程と、前記半導体ウェハの裏面に第2導電型の不純物をイオン注入する工程と、前記第2導電型の不純物を熱処理により拡散させる工程と、前記半導体ウェハの裏面にオーミック電極を形成する工程と、を順におこなうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/336 , H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/78 658K , H01L29/78 653A , H01L29/78 655C , H01L29/78 658A

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-074578 出願人：株式会社東芝
特開平4-286163
特開平4-199619

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