特許
J-GLOBAL ID：200903067214279714
半導体発光装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235964
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087764
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 複雑な構造を有する歪み量子井戸半導体レーザー等の歪み半導体発光装置において、その積層半導体全体に対する歪みの影響の波及を抑制することができるようにする。【解決手段】 化合物半導体基体1上に、少なくともバッファ層と、第1導電型の第1クラッド層3と、活性層4と、第2導電型の第2クラッド層5と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層7とを有する積層半導体層が形成され、その活性層に歪みを導入した構成とし、バッファ層およびキャップ層の少なくとも一方に上記歪みを補償する歪みを導入する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基体上に、少なくともバッファ層と、第1導電型の第1クラッド層と、活性層と、第2導電型の第2クラッド層と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層とを有する積層半導体層が形成され、上記活性層に圧縮歪みを有し、上記バッファ層およびキャップ層の少なくとも一方が、引っ張り歪みを有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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