垂直カラーCMOSイメージセンサの感度を改善する方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-502864
公開番号（公開出願番号）：特表2007-531254
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

本発明は、画素の表面に配置される吸収フィルタを有することなく衝突光子の色を検出するCMOSイメージセンサ画素の構造体を詳細に記述する。色検出は、シリコンバルクに配置される3つの電荷検出ノードの垂直な積層物を有することによって達成される。その小さな電荷検出ノードの静電容量と、それによる、低いノイズを有する高感度は、空乏にされない接合電極の代わりに埋め込まれた層を形成する、完全に空乏にされたポテンシャル井戸を用いて達成される。ノードの静電容量を実質的に増加することなく埋め込まれた層に接触する2つの形態が提供される。

請求項（抜粋）：

p型ドープ領域を有し、CMOSイメージセンサ内にある光検知画素であって、前記p型ドープ領域内に埋め込まれ、空乏にされたポテンシャル井戸として動作するように配置され、ドーピングされた第1電荷集合領域と、前記イメージセンサの表面付近から前記第1電荷集合領域まで延びる、n+型にドーピングされた第1プラグと、前記p型ドープ領域内に埋め込まれ、前記p型ドープ領域によって前記第1電荷集合領域から垂直方向に分離され、空乏にされたポテンシャル井戸として動作するように配置され、ドーピングされた第2電荷集合領域と、前記イメージセンサの表面付近から前記第2電荷集合領域まで延びる、n+型にドーピングされた第2プラグと、を含む光検知画素。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 A , H04N5/335 E , H04N5/335 U

Fターム (18件)：

4M118AA01 , 4M118AA02 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118DA18 , 4M118DA20 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA26 , 4M118FA33 , 5C024AX01 , 5C024CX37 , 5C024CX41 , 5C024DX01 , 5C024GX03 , 5C024GY31

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第4,845,548号明細書
米国特許出願公開第2002/0058353号明細書

審査官引用 (6件)

固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-079794 出願人：日本電気株式会社
特開昭60-143668
垂直型カラーフィルタ検出器群及びアレイ
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-531499 出願人：フォベオン・インコーポレーテッド

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