特許
J-GLOBAL ID：200903086981501338
固体撮像装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079794
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345957
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】光電変換部の寄生容量を低減し、出力変換効率を向上させることができるCMOSセンサを提供する。【解決手段】本発明に係るCMOSセンサの光電変換部301は、制御用MOSFET201のゲート電極に隣接したN+型の第1領域106と、第1領域106に隣接するN型の第2領域114と、からなる。このため、P型ウエル層102及び素子分離領域となるP+型半導体領域103aと、第2領域114との接合部に形成される空乏層を光電変換部301の方向に延ばすことができるため、寄生容量を低減することができ、ひいては、信号電荷による電位変動を大きくすることができ、出力変換効率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
第2導電型の半導体層と、該半導体層上に形成された光電変換部と、制御用MOSFETと、を有し、前記光電変換部で発生した電荷による電位変化をソースフォロアアンプを介して出力するXYアドレス型固体撮像装置において、前記光電変換部は、前記制御用MOSFETのゲート電極に隣接した第1導電型の第1領域と、前記第1領域に隣接する第1導電型の第2領域と、を有することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
