特許

J-GLOBAL ID：200903067246789811

半導体発光素子の製造方法

発明者： 郭 準 燮 ,  李 ▲きょう▼ 烈
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-152821
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051614
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 n型基板上にp型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にn型電極を形成する段階とを含む。前記n型基板の下部面は湿式又は乾式エッチングする。これにより、ダメ-ジがない基板の下部面にn型電極が形成されるので、発光素子、特に半導体レ-ザダイオ-ドの特性を向上させ得る。

請求項（抜粋）：

n型基板上にp型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にn型電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/308 C ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 105 B

Fターム (30件)：

5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA99 ,  5F041FF16 ,  5F043AA13 ,  5F043BB10 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073BA05 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21 ,  5F073DA23 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-270375   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014569   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体チップの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-358557   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-074966   出願人：三洋電機株式会社