窒化物系半導体素子およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006718
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するn型GaN基板1の裏面(窒素面)をRIE法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたn型GaN基板1の裏面(窒素面)上に、n側電極8を形成する工程とを備えている。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ウルツ鉱構造を有するn型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第1半導体層の裏面をエッチングする工程と、その後、前記エッチングされた第1半導体層の裏面上に、n側電極を形成する工程とを備えた、窒化物系半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01S5/323 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/00

FI (4件)：

H01S5/323 610 , H01L33/00 C , H01L21/302 105B , H01L21/306 B

Fターム (38件)：

5F004AA07 , 5F004BA04 , 5F004CA02 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB19 , 5F004EB02 , 5F004FA07 , 5F041AA21 , 5F041AA31 , 5F041CA04 , 5F041CA22 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA74 , 5F041DA07 , 5F043AA05 , 5F043BB10 , 5F043DD08 , 5F043FF07 , 5F043GG04 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB07 , 5F073DA05 , 5F073DA22 , 5F073DA25 , 5F073DA30 , 5F073DA32 , 5F073DA35 , 5F073EA29 , 5F073FA21 , 5F073FA27 , 5F073HA02 , 5F073HA04 , 5F073HA10 , 5F073HA11

引用特許：

審査官引用 (10件)

窒化物半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-358557 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-099780 出願人：ローム株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-179591 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る