特許

J-GLOBAL ID：200903067251098436

半導体及び半導体基板、その製造方法、並びに半導体素子

発明者： 長澤 弘幸
出願人/特許権者： HOYAアドバンスドセミコンダクタテクノロジーズ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364009
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200234
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】基板側の低抵抗化、及びその上層のエピタキシャル成長層の高抵抗化を実現した半導体及び半導体基板、その製造方法、並びにその半導体を用いる半導体素子を提供すること。【解決手段】化合物単結晶からなり、面欠陥密度が1x107/cm2以上である領域及び面欠陥密度が1/cm2以下である領域を含む半導体。基板上に前記半導体を設けた半導体基板。前記半導体または半導体基板の製造方法。少なくとも一つの抵抗性接触を有する電極と、少なくとも一つの非抵抗性接触を有する半導体素子であって、前記半導体の高欠陥密度領域に抵抗性接触が形成され、かつ低欠陥密度領域に非抵抗性接触が形成されていることを特徴とする半導体素子。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

化合物単結晶からなり、面欠陥密度が1x107/cm2以上である領域(以下、高欠陥密度領域という)及び面欠陥密度が1/cm2以下である領域(以下、低欠陥密度領域という)を含む半導体。

IPC (3件)：

H01L29/12 ,  C30B29/48 ,  H01L21/20

FI (3件)：

H01L29/14 ,  C30B29/48 ,  H01L21/20

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077BE25 ,  4G077BE26 ,  4G077BE33 ,  4G077BE44 ,  4G077BE45 ,  4G077CG01 ,  4G077DB01 ,  4G077EF01 ,  4G077FJ03 ,  4G077QA01 ,  4G077QA74 ,  4G077TC13 ,  4G077TC17 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F052JA07 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-107285   出願人：ホーヤ株式会社
• 炭化けい素半導体基板とその製造方法およびその基板を用いた炭化けい素半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-336511   出願人：富士電機株式会社