特許
J-GLOBAL ID：200903067303514751

スイッチ回路及び半導体装置

発明者：
水谷 浩

水谷 浩 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-236129
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074703
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 60GHz以上の高い周波数でも高性能を維持したまま広い有効帯域を得ることができるスイッチ回路及び半導体装置を提供する。【解決手段】 直列に接続された二つの電界効果トランジスタと、二つの電界効果トランジスタの接続部位に一端が接続され、他端が接地されたインダクタとによって単位回路が構成され、直列に接続された少なくとも一つの単位回路を備え、電界効果トランジスタのゲートがそれぞれ共通に接続されて電界効果トランジスタのオンオフを制御するためのバイアス電圧が抵抗器を介してそれぞれに等しく印加される構成とする。
請求項（抜粋）：
直列に接続された二つの電界効果トランジスタと、二つの前記電界効果トランジスタの接続部位に一端が接続され、他端が接地されたインダクタと、によって単位回路が構成され、直列に接続された少なくとも一つの前記単位回路を備え、前記電界効果トランジスタのゲートがそれぞれ共通に接続されて、前記電界効果トランジスタのオンオフを制御するためのバイアス電圧が抵抗器を介してそれぞれのゲートに等しく印加されるスイッチ回路。
IPC (4件)：
H01P 1/15 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 17/693
FI (3件)：
H01P 1/15 ,  H03K 17/693 A ,  H01L 27/04 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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