半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-104787
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303407
出願日： 1997年04月22日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】コンタクト層と該コンタクト層の上に形成されるオーミック電極とのオーミック性接触のコンタクト抵抗を低減する。【解決手段】 n型のAlx Ga1-x N(但し、xは0以上で且つ0.5以下である。)で表わされるn型の窒化アルミニウムガリウム層11の上に、該窒化アルミニウムガリウム層11とオーミック性接触するように、モリブデン(仕事関数:4.12eV、融点:2523°C)よりなるモリブデン層12が堆積されている。モリブデン層12の上には、該モリブデン層12の酸化を防止する金層13が堆積されている。

請求項（抜粋）：

n型のAlx Ga1-x N(但し、xは0以上で且つ0.5以下である。)で表わされるn型の窒化アルミニウムガリウム又は窒化ガリウムよりなるコンタクト層と、前記コンタクト層の上に該コンタクト層とオーミック性接触するように形成された、仕事関数が4.2eV以下の高融点金属よりなる高融点金属層からなるオーミック電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

電子線源を備える光源
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-243913 出願人：松下電工株式会社
特開平2-192120
特開平4-239772

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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