特許
J-GLOBAL ID：200903087786527671
n型窒化物半導体層の電極
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-173201
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027638
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 n型窒化物半導体層と好ましいオーミック接触が得られ、さらにワイヤーとも強固に接着できる安定な変質しにくい電極を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層の表面に形成されるオーミック電極であって、電極はn型窒化物半導体層と接する側がジルコニウムよりなり、その上にアルミニウムを積層した少なくとも二層構造を有する。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層の表面に形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と接する側がジルコニウムよりなり、その上にアルミニウムを積層した少なくとも二層構造を有することを特徴とするn型窒化物半導体層の電極。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
