特許

J-GLOBAL ID：200903067311999489

薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置

発明者： 田中 宏典 ,  筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-317876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189461
出願日： 2000年10月18日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 特に、液晶表示装置用の大型の基板において、ゲート絶縁膜のマイクロクラックの発生を防止し、基板の反りの発生を抑制する。【解決手段】 ガラス基板の上に多数配列して形成された薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を、ゲート線層の直下部のみ他部より少し厚くする。

請求項（抜粋）：

基板上にチャネル領域と、ソース領域とドレイン領域とが区分けして形成された半導体層と、半導体層の上部に形成されたゲート絶縁膜と、チャネル領域上部のゲート絶縁膜に形成されたゲート線層とを有してなる膜トランジスタにおいて、上記ゲート絶縁膜は、上記ゲート線層上部の膜圧の厚い第1のエリアと、上記第1のエリア以外の、半導体層上部の膜圧の薄い第2のエリアとを有していることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338

FI (6件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 617 S ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 A ,  H01L 29/78 626 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154129   出願人：三洋電機株式会社
• MOSトランジスタ作製方法およびその構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-356299   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体集積回路及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299755   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-283539