特許
J-GLOBAL ID：200903074282437707
半導体集積回路及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-299755
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125928
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタにおいて、要求される特性を満足する構造を提供する。【解決手段】 Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとが集積化された構成において、Nチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜500bをPチャネル型のそれ500aに比較して厚くする。こうすることで、Pチャネル型においては、高速動作を得、Nチャネル型においては高信頼性を得ることができる。
請求項（抜粋）：
Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとを少なくとも有する回路であって、前記薄膜トランジスタは絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであって、前記Nチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜の厚さは前記Pチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/336
H01L 29/78 613 A
, H01L 27/08 321 C
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 617 S
