特許

J-GLOBAL ID：200903067331754920

III族窒化物半導体発光ダイオード

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 菊地 精一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-043142
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246645
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 Si単結晶を基板とするIII族窒化物半導体LEDにあって、機械的強度を失うことなくLEDよりSi基板を除去して、発光がSi基板に吸収される度合いを低減した高輝度のSi基板系III族窒化物半導体LEDの提供。【解決手段】 導電性の珪素(Si)単結晶基板の表面上に、金属或いは半導体からなる中間層を介して積層された、III族窒化物半導体から構成されるpn接合型ヘテロ接合構造の発光部を少なくとも含み、該単結晶基板の裏面に裏面電極と、表面側の発光部上に表面電極とを備え、かつ上記単結晶基板裏面の裏面電極以外の領域のSi単結晶基板を除去して形成した穿孔部が設けられているIII族窒化物半導体発光ダイオード。

請求項（抜粋）：

導電性の珪素(Si)単結晶基板の表面上に、金属或いは半導体からなる中間層を介して積層された、III族窒化物半導体から構成されるpn接合型ヘテロ接合構造の発光部を少なくとも含み、該単結晶基板の裏面に裏面電極と、表面側の発光部上に表面電極とを備え、かつ上記単結晶基板裏面の裏面電極以外の領域のSi単結晶基板を除去して形成した穿孔部が設けられていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (24件)：

5F041AA04 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA81 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045232   出願人：株式会社日立製作所
• 発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-122378   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154116   出願人：寺嶋一高
• III族窒化物半導体発光素子基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-180921   出願人：昭和電工株式会社