半導体積層基板,半導体結晶基板および半導体素子ならびにそれらの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209202
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036139
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】エッチングにより容易に基礎基板を分離することができる半導体発光素子積層基板,半導体素子およびそれらの製造方法、ならびにそれにより得られた半導体結晶基板,半導体素子およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】サファイアよりなる基礎基板11に、AlNよりなる分離層12およびGaNよりなるバッファ層13を介してGaNよりなる半導体結晶層14を成長させる。分離層12およびバッファ層13は線状に分散して形成され、それらの側面にはSiO2 よりなる成長防止膜15を介してエッチング剤の流通孔16が設けられている。これにより、エッチング剤が流通孔16を流通し成長防止膜15および分離層12がエッチングされ、容易に基礎基板11が分離される。

請求項（抜粋）：

基礎基板に分離層を介して半導体結晶層が形成された半導体積層基板であって、前記分離層をエッチングするエッチング剤が流通するための流通孔を有することを特徴とする半導体積層基板。

Fターム (7件)：

5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74

引用特許：

審査官引用 (3件)

基板接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-322522 出願人：日本電気株式会社
GaN系結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-188776 出願人：三菱電線工業株式会社
特開昭52-027370

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