特許

J-GLOBAL ID：200903067379075897

半導体装置

発明者： 林 哲也 ,  村上 善則
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075503
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266307
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】バイポーラ・ノーマリオフ型の縦型パワー素子において、素子の耐圧やその他の特性を良好に保持しながら、ターンオフ時間の短い電流制御型素子を提供する。【解決手段】バイポーラ・ノーマリオフ型の縦型パワー素子において、ターンオフ時にn型領域ならびに反転層内を、p型のゲート領域8へ移動する少数キャリア電流に対する抵抗を低減すべく、少なくとも固定電位絶縁電極6に挟まれた領域で絶縁膜5に接し、かつゲート領域8と接し、前記ソース領域3とは接しないp型のバイパス領域9を設けた半導体装置。

請求項（抜粋）：

ドレイン領域である一導電型の半導体基体の一主面に接して同一導電型のソース領域を一個または複数個有し、前記主面に接して前記ソース領域を挟み込むように配置された溝を一個または複数個有し、前記溝の内部には絶縁膜によって前記ドレイン領域と絶縁され、かつ、前記ソース領域と同電位に保たれた固定電位絶縁電極を有し、前記固定電位絶縁電極は、前記絶縁膜を介して隣接する前記ドレイン領域に空乏領域を形成するような仕事関数の導電性材料から成り、前記ソース領域に接する前記ドレイン領域の一部であって、前記固定電位絶縁電極によって挟み込まれたチャネル領域を有し、前記チャネル領域には前記固定電位絶縁電極の周囲に形成された前記空乏領域によって多数キャリアの移動を阻止するポテンシャル障壁が形成されており、遮断状態における前記ドレイン領域側からの電界が前記ソース領域近傍に影響を及ぼさないように、前記チャネル領域にあって前記溝の底部から前記ソース領域までの距離すなわちチャネル長は、前記チャネル領域に臨んで対面する前記溝の側壁同士の距離すなわちチャネル厚みの、少なくとも2乃至3倍以上となっており、さらに、前記固定電位絶縁電極を取り囲む前記絶縁膜の界面に少数キャリアを導入して反転層を形成し、前記固定電位絶縁電極から前記ドレイン領域への電界を遮蔽して前記チャネル領域に形成されたポテンシャル障壁を減少もしくは消滅させてチャネルを開くべく、前記絶縁膜ならびに前記ドレイン領域に接して、前記ソース領域には接しない、反対導電型のゲート領域を有し、さらに前記ゲート領域と接続するゲート電極を有する半導体装置において、ターンオフ時に前記反転層ならびに前記同一導電型領域から前記反対導電型ゲート領域へ移動する、前記少数キャリア電流に対する抵抗を低減すべく、少なくとも前記固定電位絶縁電極に挟まれた領域で前記絶縁膜に接し、かつ前記ゲート領域と接し、前記ソース領域とは接しない反対導電型のバイパス領域をさらに有する、ことを特徴とする半導体装置。

FI (3件)：

H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 654 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033419   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-127531   出願人：日産自動車株式会社