反強磁性体膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-316414
公開番号（公開出願番号）：特開2003-217962
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】耐食性や熱特性に優れるMn合金からなる反強磁性体膜において、膜組成や膜質の安定化を図る。さらに、室温および高温域で十分な交換結合力を安定して得られるようにする。【解決手段】 10〜98原子%のMnを含み、残部が実質的にNi、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、WおよびReから選ばれる少なくとも1種のR元素からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子%以下の膜組成を有している。反強磁性体膜3は強磁性体膜4と積層して交換結合膜2を構成する。

請求項（抜粋）：

10〜98原子%のMnを含み、残部が実質的にNi、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、WおよびReから選ばれる少なくとも1種のR元素からなるスパッタリングターゲットを用いて、スパッタ成膜してなる反強磁性体膜であって、前記スパッタリングターゲットからの組成のずれが10原子%以下の膜組成を有することを特徴とする反強磁性体膜。

IPC (7件)：

H01F 41/18 , C23C 14/34 , G11B 5/39 , H01F 10/12 , H01F 10/32 , H01L 43/08 , H01L 43/10

FI (8件)：

H01F 41/18 , C23C 14/34 A , G11B 5/39 , H01F 10/12 , H01F 10/32 , H01L 43/08 M , H01L 43/08 Z , H01L 43/10

Fターム (15件)：

4K029BA02 , 4K029BA06 , 4K029BA07 , 4K029BA08 , 4K029BA11 , 4K029BA12 , 4K029BA16 , 4K029BC06 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC09 , 5D034BA05 , 5D034DA05 , 5D034DA07 , 5E049GC02

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気抵抗素子,磁気誘導素子及び薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-004320 出願人：富士電機株式会社
スパッタリングターゲットとそれを用いて形成した磁性薄膜および薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-033321 出願人：株式会社東芝
特開昭63-047344

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