特許

J-GLOBAL ID：200903067450474579

処理装置

発明者： 谷山 博己 ,  田中 洋一 ,  高橋 利彦
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-232300
公開番号（公開出願番号）：特開平11-319732
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：

【要約】【課題】 基板の裏面全体に処理液を均一に供給でき,均一な処理が行える処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWを回転自在に保持する回転テーブル21と,回転テーブル21に保持されたウェハWの裏面に処理液を供給する供給ノズル30を備えた処理装置6において,ウェハWの回転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給できるように,少なくともウェハWの略中心から任意の周縁部までに至る間に,供給ノズル30の吐出口41を分布させて配置した。供給ノズル30内部に処理液の液溜め室42を形成し,この液溜め室42には処理液供給路43を接続し,処理液供給路43の出口と吐出口41との間に緩衝板44を設けた。

請求項（抜粋）：

基板を回転自在に保持する保持手段と,前記保持手段に保持された基板の裏面に処理液を供給する供給ノズルを備えた処理装置において,前記基板の回転に伴って基板の裏面全体に処理液を均一に供給できるように,少なくとも基板の略中心部から任意の周縁部までの間に,前記供給ノズルの吐出口を分布させて配置したことを特徴とする,処理装置。

IPC (4件)：

B08B 3/02 ,  B08B 3/04 ,  B08B 3/08 ,  H01L 21/304 643

FI (4件)：

B08B 3/02 B ,  B08B 3/04 Z ,  B08B 3/08 Z ,  H01L 21/304 643 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-032016   出願人：株式会社プレテック
• 半導体基板の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-214422   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社