特許
J-GLOBAL ID：200903067460201074

MOS容量素子及び半導体装置

発明者：
加藤 清

加藤 清 について

, 
塩野入 豊

塩野入 豊 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-127336
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340791
出願日： 2005年04月26日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 半導体装置の作製工程数を増加させることなく、交流の電圧を印加しても容量素子として機能させることができる、容量素子の提供を課題とする。【解決手段】 本発明は、MOS容量素子として用いるトランジスタにおいて、チャネル形成領域を間に挟んで存在する2つの不純物領域に、互いに極性の異なる不純物を添加し、ソース領域またはドレイン領域として用いることを特徴とする。具体的には、n型の不純物が添加された不純物領域をn型領域、p型の不純物が添加された不純物領域をp型領域とすると、本発明ではチャネル形成領域がn型領域とp型領域の間に挟まれているトランジスタを、MOS容量素子として用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の不純物領域と、第2の不純物領域と、前記第1の不純物領域と前記第2の不純物領域との間にチャネル形成領域とを有する半導体膜と、 絶縁膜と、 電極とを有し、 前記第1の不純物領域は、n型の導電性を有し、 前記第2の不純物領域は、p型の導電性を有し、 前記チャネル形成領域と前記電極は、絶縁膜を介して重なっていることを特徴とするMOS容量素子。
IPC (7件)：
H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06
FI (5件)：
H01L29/78 613Z ,  G02F1/1368 ,  H01L27/04 C ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 612Z
Fターム (114件)：
2H092JA24 ,  2H092JA28 ,  2H092JA41 ,  2H092JB63 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA11 ,  2H092PA06 ,  5F038AC03 ,  5F038AC17 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC16 ,  5F048BC20 ,  5F048BE08 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BG01 ,  5F048BG03 ,  5F048BG07 ,  5F048DA25 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE32 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置のMOS容量
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191510   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
審査官引用 (2件)

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