特許
J-GLOBAL ID：200903067475691485

半導体構造体および半導体発光素子

発明者：
中津 弘志

中津 弘志 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315618
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169993
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 素子特性の安定性、再現性を損なうことなく、外部への光取り出し効率を向上させることができるように作製できる構造の半導体構造体およびこの構造を有する半導体発光素子を提供する。【構成】 n型GaAs基板1表面上に、(011)面から[0-11]方向に傾斜したメサ型溝11が形成されている。この基板1表面上に形成される半導体層は、メサ型溝11の上部の領域に形成されたものと、それ以外の領域に形成されたものとでは結晶の秩序度が異なり、この秩序度の違いに基づくpn接合の立ち上がり電圧差が生じる。従って、半導体層側のp型電極7をメサ型溝11に対応する領域に設けると、p型電極7直下以外の部分の半導体層に選択的に電流を注入して発光領域とすることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、半導体層が積層されてなる半導体構造体において、該基板の該半導体層が形成された面に、第1の領域と、該第1の領域とは面方位が異っている2つの第2の領域とが、該第1の領域を挟んで該第2の領域が存在する状態で設けられている半導体構造体。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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