特許

J-GLOBAL ID：200903067486007691

集積回路

発明者： キシャオジュン デン ,  ジャ シェン ,  アンソニー ステファン オーテス
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248123
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102454
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 エレクトロマイグレーションを低下させた集積回路を製造する方法及び集積回路を提供する。【解決手段】 第1誘電体層40内に形成された第1誘電体20と、その上に形成された第1材料層30及び第1誘電体層40とは別な材料で形成された第1平面化層45で構成した第1レベル間誘電体層上に同様プロセスによる第2レベル間誘電層90,80,95を形成した集積回路において、第1材料層30の材料が第1誘電体層40の材料よりもヤング率が大きいものとする。

請求項（抜粋）：

(A) 第1レベル間誘電体層と、(B) 前記第1レベル間誘電体層の上方に形成された第2レベル間誘電体層とを有し、前記(A)第1レベル間誘電体層は、(A1) 第1誘電体層(40)と、(A2) 前記第1誘電体層内に形成された第1導電体(20)と、(A3) 前記第1誘電体層上に形成された第1材料層(30)とを有することを特徴とする集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 27/04 T

引用特許：

審査官引用 (4件)

• マイクロエレクトロニク構造および形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-204903   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開平4-266028
  
• 多層配線の構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-214110   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-266028