特許

J-GLOBAL ID：200903099572654020

多層配線の構造及びその製造方法

発明者： 田上 政由 ,  林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214110
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007204
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】銅の拡散を防止するためのバリア膜は、バリア性と共に銅との密着性も要求されるが、これまでの金属及び金属窒化膜バリア膜ではバリア性と密着性を両立したものを得ることは難しかった。【解決手段】バリア性に優れた非晶質金属窒化膜15と密着性に優れた結晶性金属膜16とを積層構造とすることにより、密着性とバリア性を両立した積層バリア膜17が得られる。例えば、半導体基板11上の絶縁膜12bに形成された配線溝または孔に埋め込み積層バリア膜17を成膜し、拡散バリア膜17上に銅膜18を形成することにより、良好な密着性と拡散がない銅配線を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された銅配線からの銅拡散を防止する拡散バリア膜において、前記拡散バリア膜は、結晶質の窒素含有金属膜と非晶質の金属窒化膜とからなる積層構造を有し、前記拡散バリア膜を構成する金属原子種は同一であることを特徴とする拡散バリア膜。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M

Fターム (63件)：

4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB37 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD23 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH08 ,  4M104HH13 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033LL06 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW07 ,  5F033WW10 ,  5F033XX02 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の金属配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-070955   出願人：ヒヨンデエレクトロニクスインダストリーズカンパニーリミテッド
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-219564   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法および高融点金属ナイトライド膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-282211   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社