特許
J-GLOBAL ID：200903067496589389
マイクロマシンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北野 好人
, 三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-271644
公開番号（公開出願番号）：特開2004-106116
出願日： 2002年09月18日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】トーションバーを有するマイクロマシンを高い歩留りで製造し得るマイクロマシンの製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体基板6内に酸化膜54を埋め込む工程と、第1の半導体基板と第2の半導体基板8とを絶縁膜18を介して貼り合わせる工程と、第1の領域及び第1の領域の両側の第2の領域を開口する第1のマスク66を形成する工程と、第1のマスク66及び酸化膜54をマスクとして、第1の半導体基板をエッチングし、酸化膜と絶縁膜との間に、第1の半導体基板と一体に形成されたバネ部分20aを形成することにより、バネ部分を有するトーションバー16を形成する工程と、第1の領域及び第2の領域を開口する第2のマスク74を形成する工程と、第2のマスク74を用いて第2の半導体基板をエッチングする工程と、第1の領域及び第2の領域の絶縁膜18をエッチングする工程とを有している。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板の第1の領域に酸素イオンを注入し、熱処理を行うことにより、前記第1の半導体基板内に前記第1の半導体基板の表面から離間して埋め込まれた酸化膜を形成する工程と、
前記第1の半導体基板の前記酸化膜が埋め込まれた側の面と第2の半導体基板とを、絶縁膜を介して貼り合わせる工程と、
前記第1の半導体基板の前記酸化膜が埋め込まれた側の面と反対の面に、前記第1の領域及び前記第1の領域の両側の第2の領域を開口する第1のマスクを形成する工程と、
前記第1のマスク及び前記酸化膜をマスクとして、前記第1の半導体基板をエッチングし、前記酸化膜と前記絶縁膜との間に、前記第1の半導体基板と一体に形成されたバネ部分を形成することにより、前記バネ部分を有するトーションバーを形成する工程と、
前記第2の半導体基板の前記第1の半導体基板と貼り合わされた面と反対の面に、前記第1の領域及び前記第2の領域を開口する第2のマスクを形成する工程と、
前記第2のマスクをマスクとして、前記第2の半導体基板をエッチングする工程と、
前記第1の領域及び前記第2の領域の前記絶縁膜をエッチングする工程と
を有することを特徴とするマイクロマシンの製造方法。
IPC (3件)：
B81C1/00
, B81B3/00
, G02B26/08
B81C1/00
, B81B3/00
, G02B26/08 E
2H041AA12
, 2H041AA14
, 2H041AA16
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ01
, 2H041AZ08
