プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232987
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079372
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】チャージアップの起きないプラズマ処理の実現。【解決手段】チャンバー1に供給された反応ガスを、チャンバー1に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマでチャンバー1の試料Aを加工したうえで、高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印加することで、チャージアップを防いだ。

請求項（抜粋）：

真空室に供給された反応ガスを、前記真空室に間欠的に、ないしは高低レベルを交互に繰り返しつつ供給される高周波電力によりプラズマ化し、そのプラズマで前記真空室内の試料を加工するプラズマ処理方法であって、前記高周波電力の非供給期間もしくは低レベル供給期間に同期して正となるパルス状バイアス電圧を試料に印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23C 14/34 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/302 A , C23C 14/34 S , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/203 S , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマエッチング方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248583 出願人：国際電気株式会社, 堀池靖浩
特開平3-263827
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-244688 出願人：アネルバ株式会社

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