半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-239261
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059956
出願日： 2004年08月19日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】窒化物半導体装置のコンタクト抵抗並びにショットキー特性の向上を図る。【解決手段】サファイアからなる基板11の上に、窒化アルミニウム(AlN)からなるバッファ層12と、i型GaNからなる第1の窒化物半導体層13と、i型AlGaNからなる第2の窒化物半導体層14が順次形成されている。第2の窒化物半導体層14の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス18を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。その後、ソース電極15及びドレイン電極16、ゲート電極17を形成する。この構成により、半導体表面にダメージを与えることなく、窒素空孔を含む基板表面の窒素不足を補完してから電極を作製することが可能となる。そのため、コンタクト抵抗の低減やショットキー特性の改善が実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体に窒素を含むイオンもしくはラジカル、又は窒素を含む化合物のイオンもしくはラジカルを照射する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/265 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/306

FI (6件)：

H01L29/80 H , H01L21/265 601Z , H01L21/28 A , H01L21/28 301B , H01L21/316 Z , H01L21/302 106

Fターム (42件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD22 , 4M104FF13 , 4M104GG06 , 4M104GG12 , 4M104HH15 , 5F004AA07 , 5F004BD04 , 5F004EB01 , 5F004FA08 , 5F058AA10 , 5F058AE02 , 5F058AF01 , 5F058AH01 , 5F058BA20 , 5F058BE10 , 5F058BF01 , 5F058BJ01 , 5F102FA03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102GV09 , 5F102HA03 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (2件)

窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-059153 出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-381639 出願人：富士ゼロックス株式会社

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