窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法、及びリモートプラズマ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381639
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188104
出願日： 2001年12月14日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：

【要約】【課題】高品質で高機能の窒化物半導体を大面積で短時間に生産することができ、高い生産性を有する窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法を提供することができる。【解決手段】互いに略平行に対向させて配置された、平板状の第1電極12及び平板状で且つプラズマ活性種を透過する領域を有する第2電極14を有し、当該一対の電極間にプラズマを発生させて気体原料をプラズマ活性種に活性化させるプラズマ活性化手段と、Va族元素気体原料を導入するVa族気体原料導入手段(第1電極12)と、導入されたVa族元素気体原料が第1電極12及び第2電極14間でプラズマ活性種に活性化される下流側から、IIIa族元素気体原料を導入するIIIa族気体原料導入手段(第2電極14)と、を備えることを特徴とする窒化物半導体の製造装置、窒化物半導体の製造方法である。

請求項（抜粋）：

気体原料を導入し、基板上に窒化物半導体を成膜する窒化物半導体の製造装置であって、互いに略平行に対向させて配置された、第1電極及びプラズマ活性種を透過する領域を有する第2電極を有し、当該一対の電極間にプラズマを発生させて気体原料をプラズマ活性種に活性化させるプラズマ活性化手段と、前記第1電極及び前記第2電極間を通過し且つ前記第2電極方向に向かって、Va族元素を含む化合物の気体原料を導入するVa族気体原料導入手段と導入された前記Va族元素を含む化合物の気体原料が前記第1電極及び前記第2電極間でプラズマ活性種に活性化される下流側から、IIIa族元素を含む有機金属化合物の気体原料を導入するIIIa族気体原料導入手段と、を備えることを特徴とする窒化物半導体の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

Fターム (37件)：

4K030BA38 , 4K030BA55 , 4K030BA56 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA03 , 4K030KA14 , 4K030KA15 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AD16 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EH01 , 5F045EH05

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭48-071399
特開昭61-179527
特開昭53-091665

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