窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：木戸一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059153
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261326
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】プラズマエッチングにより窒化ガリウム系化合物半導体に生じたダメージを回復し、良好な電気特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子を製造できる方法を提供する。【解決手段】半導体層の一部を塩素又は三塩化ホウ素等の反応性ガスを含むプラズマ中でエッチングした後、該エッチングにより露出した半導体層を不活性ガスプラズマに曝した後、該半導体層に電極を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層し、該積層された半導体層の一部をプラズマエッチングし、該エッチングされて露出した電極コンタクト半導体層に電極を形成する窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法であって、前記半導体層の一部を塩素又は三塩化ホウ素等の反応性ガスを含むプラズマ中でエッチングした後、該エッチングにより露出した半導体層を不活性ガスプラズマに曝した後、該半導体層に電極を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 29/737 , H01L 21/331 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (7件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 H , H01L 21/302 N , H01L 29/72 H , H01L 29/80 F

Fターム (73件)：

4M104AA04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD22 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104FF03 , 4M104FF17 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG04 , 4M104GG06 , 4M104GG12 , 4M104HH11 , 4M104HH15 , 4M104HH17 , 5F003BA92 , 5F003BC08 , 5F003BE90 , 5F003BH08 , 5F003BH99 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP12 , 5F003BP32 , 5F003BZ01 , 5F003BZ03 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA17 , 5F004DA22 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB19 , 5F004EB01 , 5F004FA01 , 5F004FA08 , 5F041AA40 , 5F041AA44 , 5F041CA12 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA75 , 5F041CA77 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041CA99 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GR04 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (5件)

3族窒化物半導体のドライエッチング方法及び電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-203130 出願人：豊田合成株式会社
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-150311 出願人：住友化学工業株式会社
半導体発光装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-004719 出願人：旭化成工業株式会社

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