特許
J-GLOBAL ID：200903067543430482

半導体ウェーハの分割方法

発明者：
関家 一馬

関家 一馬 について

, 
荒井 一尚

荒井 一尚 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 佐々木 功 ,  川村 恭子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-411822
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175136
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課題】半導体ウェーハを薄い半導体チップに分割するに当たって、切削溝からエッチング液またはガスが回り込んで半導体チップの表面側を損傷させず、半導体チップを効率よく分割できるようにすること。【解決手段】半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝5をストリートに沿って形成する切削溝形成工程と、該切削溝が形成された半導体ウェーハの表面とハードプレート8とを対面させ経時的に固化する液状樹脂7を介して該液状樹脂を該切削溝に僅かに浸透させ各半導体チップを囲繞するハードプレート貼着工程と、該液状樹脂が固化した後、該ハードプレート側を研削装置のチャックテーブルに載置しウェーハの裏面を研削する裏面研削工程と、該半導体ウェーハの裏面をエッチングし裏面に表出した切削溝によって囲繞された半導体チップの裏面と裏面の外周辺から加工歪みを除去する加工歪み除去工程とから構成されるものである。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
表面に複数の半導体チップがストリートによって区画されて形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、 前記半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さの切削溝をストリートに沿って形成する切削溝形成工程と、 該切削溝が形成された半導体ウェーハの表面とハードプレートとを対面させ経時的に固化する液状樹脂を介して貼着し毛細管現象により該液状樹脂を該切削溝に僅かに浸透させ各半導体チップを該液状樹脂によって囲繞するハードプレート貼着工程と、 該液状樹脂が固化した後、該ハードプレート側を研削装置のチャックテーブルに載置し前記切削溝が半導体ウェーハの裏面に表出するまで、または表出する直前まで半導体ウェーハの裏面を研削する裏面研削工程と、 前記ハードプレートに貼着された半導体ウェーハの裏面をエッチングし裏面に表出した切削溝によって囲繞された半導体チップの裏面と裏面の外周辺から加工歪みを除去する加工歪み除去工程と、 から構成される半導体ウェーハの分割方法。
IPC (1件)：
H01L21/301
FI (3件)：
H01L21/78 M ,  H01L21/78 P ,  H01L21/78 Q
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開昭62-4341号公報
審査官引用 (3件)

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