特許
J-GLOBAL ID：200903067559308237

半導体装置とその製造方法

発明者：
中川 未浩

中川 未浩 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-087867
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251620
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】 オン電圧を低減化した半導体装置の、製造に要する時間を短縮化する技術を提供する。【解決手段】 隣接するトレンチ30(第1トレンチ)の間に、ボディ領域50の表面から、その底面37がボディ領域50内に位置するダミートレンチ35(第2トレンチ)を形成する工程と、ダミートレンチ35において開口するマスクでボディ領域50の表面を覆う工程と、マスク越しにダミートレンチ35の内面に向けてn型(第1導電型)の不純物を注入し、ダミートレンチ35の底面37の周囲にn型のキャリア移動抑制領域70を形成する工程とを備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層の表面から第2導電型の不純物を注入し、半導体層の表面から所定の深さまでの領域に第2導電型のボディ領域を形成する工程と、 ボディ領域の表面から、その底面が第1導電型の半導体層に突出する複数個の第1トレンチを形成する工程と、 隣接する第1トレンチの間に、ボディ領域の表面から、その底面がボディ領域内に位置する第2トレンチを形成する工程と、 第2トレンチにおいて開口するマスクでボディ領域の表面を覆う工程と、 マスク越しに第2トレンチの内面に向けて第1導電型の不純物を注入し、第2トレンチの底面の周囲に第1導電型のキャリア移動抑制領域を形成する工程と、 マスクを除去する工程と、 ボディ領域の表面に臨むとともに第1トレンチに接する範囲に、第1導電型の不純物を注入し、第1導電型のエミッタ領域を形成する工程と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (4件)：
H01L29/78 652F ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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