特許
J-GLOBAL ID：200903067585850503
不揮発性半導体記憶装置及び読み出し方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-193329
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066052
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 メモリセルアレイの読み出し時にメモリセルに印加される電圧パルスによってメモリセルに含まれる可変抵抗素子の抵抗値が変化して読み出し不良に陥るのを防止した不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルアレイ15の中からメモリセルを行単位、列単位、または、メモリセル単位で選択するメモリセル選択回路17と、メモリセル選択回路17により選択された選択メモリセルの可変抵抗素子に読み出し電圧を印加する読み出し電圧印加回路22aと、選択メモリセルの内の読み出し対象メモリセルに対し当該可変抵抗素子の抵抗値に応じて流れる読み出し電流の大小を検知して、読み出し対象メモリセルに記憶されている情報を読み出す読み出し回路23とを備え、読み出し電圧印加回路22aは、読み出し電圧とは逆極性のダミー読み出し電圧を選択メモリセルの可変抵抗素子に印加する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
電気抵抗の変化により情報を記憶する可変抵抗素子を備えてなるメモリセルを行方向及び列方向に夫々複数配列してなるメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置であって、
前記メモリセルアレイの中から前記メモリセルを行単位、列単位、または、メモリセル単位で選択するメモリセル選択回路と、
前記メモリセル選択回路により選択された選択メモリセルの前記可変抵抗素子に読み出し電圧を印加する読み出し電圧印加回路と、
前記選択メモリセルの内の読み出し対象の前記メモリセルに対し当該可変抵抗素子の抵抗値に応じて流れる読み出し電流の大小を検知して、前記読み出し対象メモリセルに記憶されている情報を読み出す読み出し回路と、を備え、
前記読み出し電圧印加回路は、前記読み出し電圧とは逆極性のダミー読み出し電圧を前記選択メモリセルの前記可変抵抗素子に印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 13/00
, H01L 27/105
, H01L 27/10
, H01L 21/824
G11C13/00 A
, H01L27/10 448
, H01L27/10 451
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083HA10
, 5F083JA38
, 5F083JA44
, 5F083JA60
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA10
