特許
J-GLOBAL ID：200903067646885615

炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴット

発明者：
勝野 正和

勝野 正和 について

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柘植 弘志

柘植 弘志 について

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矢代 弘克

矢代 弘克 について

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大谷 昇

大谷 昇 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (3件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-109194
公開番号（公開出願番号）：特開2006-290635
出願日： 2005年04月05日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 本発明は、欠陥の少ない結晶性に優れた炭化珪素単結晶ウェハを取り出せる炭化珪素単結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットを提供する。 【解決手段】 成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から、所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させる炭化珪素単結晶の製造方法、及び、この方法により製造される炭化珪素単結晶インゴットである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
種結晶上に炭化珪素単結晶インゴットを成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、成長結晶中の添加元素濃度が、成長結晶中で種結晶中と同じ濃度から所定の濃度変化率の範囲内にて漸増あるいは漸減して所望の濃度まで変化させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
C30B 29/36
FI (1件)：
C30B29/36 A
Fターム (17件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077DA01 ,  4G077DA19 ,  4G077DB12 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC09 ,  4G077EH05 ,  4G077FG11 ,  4G077GA01 ,  4G077HA06 ,  4G077TB12 ,  4G077TJ02 ,  4G077TJ06 ,  4G077TJ15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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