特許
J-GLOBAL ID:200903047401284658
炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
八田 幹雄 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-329162
公開番号(公開出願番号):特開2003-137694
出願日: 2001年10月26日
公開日(公表日): 2003年05月14日
要約:
【要約】【課題】 低欠陥大口径の単結晶炭化珪素インゴットとその製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶の厚さを0.6mm以上3.0mm以下とし、高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。
請求項(抜粋):
口径が40mm以上、厚さが0.6mm以上3.0mm以下である炭化珪素単結晶育成用種結晶。
Fターム (7件):
4G077AA02
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077ED04
, 4G077SA01
, 4G077TK04
引用特許:
審査官引用 (5件)
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単結晶製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-080360
出願人:株式会社デンソー
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炭化珪素単結晶の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-163087
出願人:株式会社デンソー
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4H型単結晶炭化珪素の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-319959
出願人:新日本製鐵株式会社
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単結晶成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-120637
出願人:株式会社豊田中央研究所
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SiC単結晶の育成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-356074
出願人:住友金属鉱山株式会社
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