薄膜トランジスタ、液晶表示装置、薄膜トランジスタの製造方法および液晶表示装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-534095
公開番号（公開出願番号）：特表2005-535147
出願日： 2003年07月23日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、電極材料の液滴の滴下によりソース電極およびドレイン電極を形成するための電極形成領域を形成する前処理工程と、電極形成領域における半導体層の領域外の位置を滴下位置として電極材料の液滴を滴下し、ソース電極およびドレイン電極を形成する電極形成工程とを備える。これにより、電極材料の液滴の滴下にてソース電極およびドレイン電極を形成する場合に、両電極間のチャネル部に液滴の飛沫が付着する事態を防止することができる。

請求項（抜粋）：

(i)ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向した半導体層と、(ii)この半導体層と電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、(iii)上記ソース電極およびドレイン電極間のチャネル部と、を含む薄膜トランジスタであって、前記ソース電極とドレイン電極とが電極材料の液滴を滴下することにより形成されており、前記ソース電極とドレイン電極とは、少なくとも前記半導体層の領域内の部分が複数本に分岐された分岐電極部となっており、両電極の分岐電極部が交互に配され、前記分岐電極部の分岐始端部が前記半導体層の領域外の位置に設けられている薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/336

FI (6件)：

H01L29/78 616T , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , H01L21/288 Z , H01L21/88 B , H01L29/78 616K

Fターム (81件)：

2H092GA12 , 2H092GA20 , 2H092GA32 , 2H092HA02 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092JB69 , 2H092MA01 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA22 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD22 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5C094AA25 , 5C094AA43 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094GB10 , 5F033GG03 , 5F033GG04 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033PP26 , 5F033VV15 , 5F033XX00 , 5F033XX21 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE42 , 5F110EE48 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG44 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110HK41 , 5F110HK42 , 5F110HM04 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-110682 出願人：日本電気株式会社
特開平2-275672
インクジェット印刷を用いた有機半導体デバイスの製造
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-529742 出願人：トラスティーズ・オヴ・プリンストン・ユニヴァーシティ

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