特許
J-GLOBAL ID：200903067722602326
AlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-279530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102627
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 高い出力が得られるAlGaInP系発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】 上部電極をp型電極として用いる標準的なAlGaInP系発光ダイオードであって、p型電流拡散層6の上面6a及び側面6bのみを内部6cに比べて高キャリア濃度とし、p型電流拡散層6の内部6cを低キャリア濃度とすることにより、効果的な電流拡散を図ることができると共に、Zn等のp型ドーパントがp型電流拡散層6から活性層4へ拡散するのを抑え、高出力化を達成する。
請求項（抜粋）：
裏面に電極を有するn型導電性のGaAsウェハからなる基板上に、AlGaInP系材料からなるn型クラッド層と、該n型クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さいAlGaInP系材料からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいp型AlGaInP系材料からなるp型クラッド層と、p型電流拡散層とが順次積層され、該p型電流拡散層の表面の一部に電極が設けられたAlGaInP系発光ダイオードにおいて、上記p型電流拡散層の上面及び側面のキャリア濃度が上記p型電流拡散層の内部よりも高いことを特徴とするAlGaInP系発光ダイオード。
Fターム (7件)：
5F041AA04
, 5F041CA34
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041FF01
