半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182238
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021846
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】レジストマスクを用いて酸化シリコン膜、有機絶縁膜を連続エッチングする場合、有機絶縁膜のエッチング途中でレジストマスクはエッチングされて無くなるため、その後有機絶縁膜の被エッチング部分へのラジカル供給が過剰になり、エッチング断面がボーイング形状になる。【解決手段】有機絶縁膜13をエッチングする際に用いるエッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガスもしくは窒素からなるガスを用いる。また、レジストマスク15は、有機絶縁膜13のエッチング開始時と終了時における基板表面を平面視したレジストマスク15の面積がほぼ同一になる膜からなるものを用いる。

請求項（抜粋）：

有機絶縁膜をエッチングする際に用いるエッチングガスに、少なくとも窒素ガスを含むガスもしくは窒素ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (18件)：

5F004AA16 , 5F004BA14 , 5F004CA04 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DA29 , 5F004DB23 , 5F004EA06 , 5F004EA26 , 5F004EA30 , 5F004EB01 , 5F004EB03

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267381 出願人：シャープ株式会社
特開昭60-170238
特開昭64-025419

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