特許

J-GLOBAL ID：200903067752704484

半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法

発明者： 沢野 博之 ,  小林 健一 ,  上野 芳康
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032102
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249827
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 ウインドウ領域における吸収のない、高信頼なウインドウ構造高出力半導体レーザを実現する。【構成】 GaAs基板1上に、MOVPE法によってn-クラッド層2、自然超格子構造をもつGaInP活性層3、p-クラッド層4、エッチングストッパ層5とキャップ層11を形成する。次に、キャップ層11上にSiO2 膜12、フォトレジスト13を形成し、ストライプ状の開口部14を部分的に形成し、SiO2 膜12およびフォトレジスト13をマスクとし上面よりNイオンまたはBイオンのイオン注入を行う。次にマスク及びキャップ層を除去した後、クラッド層6を成長する。このクラッド層の成長がイオン注入後のアニールを兼ねることもできる。このアニールによりイオン注入部の活性層の自然超格子を無秩序化し、バンドギャップを拡大しウインドウ領域が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に自然超格子構造を有するIII -V族化合物半導体の活性層を含む半導体層を形成する工程と、前記活性層の一部にIII 族またはV族イオンを注入する工程と、アニールによりイオン注入された部分の前記活性層の自然超格子構造を無秩序化する工程と、前記イオン注入された部分にレーザ共振器端面を作製する工程とを有することを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  C23C 16/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335670   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-062179
  
• 半導体レーザー及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-311882   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-319981