特許
J-GLOBAL ID：200903067774313314

半導体素子

発明者：
中村 邦宏

中村 邦宏 について

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山口 靖雄

山口 靖雄 について

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脇山 貴樹

脇山 貴樹 について

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深浦 輝也

深浦 輝也 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-266019
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100980
出願日： 1998年09月21日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は小形で気密性および機械的強度に優れ、取り扱いが容易な半導体素子を得る。【解決手段】 N型シリコン基板1の一主表面に形成されたベース電極7A、エミッタ電極8Aおよびリング状壁部14からなるAl層パターン部の表面をガラス板15で覆うと共に、ガラス板15におけるベース電極7A、エミッタ電極8Aの外部端子部に対応する箇所に予め開口部16を設けておき、該開口部16の開口面を除いたその周辺部分と該周辺部分に対向するベース電極7Aおよびエミッタ電極8AのAl層表面およびリング状壁部14のAl層表面とガラス板15とを陽極接合することにより、ベース電極7A、エミッタ電極8Aを含む保護すべき能動領域18を気密に保護する。
請求項（抜粋）：
一主表面にパターン部が形成された半導体基板と、該パターン部を覆って前記一主表面を保護する無機質の板状保護部材とを備え、前記パターン部は、電極部と、該電極部を取り囲むように前記一主表面の周縁部に形成されたリング状壁部とからなり、前記板状保護部材は、前記電極部に対応する箇所に開口部を有し、該開口部の周辺部分に対向する前記電極部の表面および前記リング状壁部の表面のそれぞれと気密に接合されていることを特徴とする半導体素子。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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